特許
J-GLOBAL ID：200903064050976606
半導体発光素子の製法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-326334
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173222
出願日： 1996年12月06日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 チッ化ガリウム系化合物半導体からなるp形層の活性化を充分に行うことができ、順方向電圧を下げることができる半導体発光素子の製法を提供する。【解決手段】 基板1上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなるn形層3およびp形層5を含む半導体層を積層し、前記p形層の活性化のためのアニール処理を行う半導体発光素子の製法であって、前記半導体層を積層した後のp形層の表面側にITO膜7bを成膜した後に前記アニール処理を行う。
請求項（抜粋）：
基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなるn形層およびp形層を含む半導体層を積層し、前記p形層の活性化のためのアニール処理を行う半導体発光素子の製法であって、前記半導体層を積層した後のp形層の表面側に透明導電膜を成膜した後に前記アニール処理を行うことを特徴とする半導体発光素子の製法。
引用特許：
前のページに戻る
