特許
J-GLOBAL ID:200903063545493737

導電体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (5件): 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-059077
公開番号(公開出願番号):特開2008-084824
出願日: 2007年03月08日
公開日(公表日): 2008年04月10日
要約:
【課題】導電性に優れるとともに、透明性が良好な導電体を提供する。【解決手段】Nb、Ta、Mo、As、Sb、Al、Hf、Si、Ge、Zr、W、Co、Fe、Cr、Sn、Ni、V、Mn、Tc、Re、P及びBiからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパントが添加された酸化チタンからなる前駆体層12’を、基板11上に形成する工程と、前駆体層12’を還元雰囲気下でアニールして金属酸化物層12を形成する工程を有することを特徴とする導電体の製造方法。【選択図】図1
請求項(抜粋):
Nb、Ta、Mo、As、Sb、Al、Hf、Si、Ge、Zr、W、Co、Fe、Cr、Sn、Ni、V、Mn、Tc、Re、P及びBiからなる群から選ばれる1又は2以上のドーパントが添加された酸化チタンからなる前駆体層を、基体表面上に形成する工程と、 前記前駆体層を還元雰囲気下でアニールして金属酸化物層を形成する工程を有することを特徴とする導電体の製造方法。
IPC (8件):
H01B 13/00 ,  C23C 14/58 ,  C23C 14/08 ,  G02F 1/134 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/28 ,  H05B 33/10
FI (8件):
H01B13/00 503B ,  C23C14/58 A ,  C23C14/08 E ,  G02F1/1343 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z ,  H05B33/28 ,  H05B33/10
Fターム (40件):
2H092HA03 ,  2H092MA05 ,  2H092MA09 ,  2H092MA25 ,  2H092MA29 ,  2H092MA35 ,  2H092NA01 ,  2H092NA28 ,  2H092PA01 ,  3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC05 ,  3K107CC12 ,  3K107DD12 ,  3K107DD22 ,  3K107DD27 ,  3K107DD32 ,  3K107DD46X ,  3K107DD46Y ,  3K107DD46Z ,  3K107FF15 ,  3K107FF17 ,  3K107GG02 ,  3K107GG05 ,  3K107GG26 ,  3K107GG28 ,  4K029AA09 ,  4K029BA48 ,  4K029BC09 ,  4K029CA02 ,  4K029CA05 ,  4K029DB05 ,  4K029DB20 ,  4K029EA01 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  5G323BA02 ,  5G323BB04 ,  5G323BB05
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 国際公開第2006/016608号パンフレット
  • 透明電極
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2002-252205   出願人:三井化学株式会社
審査官引用 (1件)

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