特許
J-GLOBAL ID:200903004637935330

透明電極

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-252205
公開番号(公開出願番号):特開2004-095240
出願日: 2002年08月30日
公開日(公表日): 2004年03月25日
要約:
【解決課題】電流を流しても、前述した銀の凝集に由来すると考えられる点状の欠陥を生じない、有機エレクトロルミネッセンス素子等の表示素子に用いる透明電極として実用的なものを提供することにある。【解決方法】水素原子を1.0×1020〜1.0×1023(at/cm3)の割合で含有する高屈折率透明薄膜層(a)及び金属薄膜層(b)を透明基体(A)上に積層してなることを特徴とする透明電極を使用する。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
水素原子を1.0×1020〜1.0×1023(at/cm3)の割合で含有する高屈折率透明薄膜層(a)及び金属薄膜層(b)を透明基体(A)上に積層してなることを特徴とする透明電極。
IPC (5件):
H01B5/14 ,  B32B15/08 ,  G02F1/1343 ,  H05B33/14 ,  H05B33/28
FI (5件):
H01B5/14 A ,  B32B15/08 E ,  G02F1/1343 ,  H05B33/14 A ,  H05B33/28
Fターム (41件):
2H092HA04 ,  2H092MA05 ,  2H092NA28 ,  2H092PA01 ,  3K007AB05 ,  3K007AB11 ,  3K007CA01 ,  3K007CA05 ,  3K007CA06 ,  3K007CB01 ,  3K007CB04 ,  3K007DB03 ,  4F100AA33 ,  4F100AB01B ,  4F100AB01D ,  4F100AG00 ,  4F100AK49 ,  4F100AT00C ,  4F100BA03 ,  4F100BA04 ,  4F100BA05 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100EH66 ,  4F100EH662 ,  4F100GB41 ,  4F100JM02A ,  4F100JM02C ,  4F100JM02E ,  4F100JN01A ,  4F100JN01C ,  4F100JN01E ,  4F100JN18A ,  4F100JN18C ,  4F100JN18E ,  5G307FA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FB02 ,  5G307FC02
引用特許:
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る