荷電粒子ビームシステムにおいて銅の相互接続部をミリングする方法及び装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-566178
公開番号（公開出願番号）：特表2003-526919
出願日： 2001年03月12日
公開日（公表日）： 2003年09月09日
要約：

【要約】銅の相互接続部に特に好適な荷電粒子ビームによるエッチングを高める方法は、ラスタリングされた域内でエッチング耐性領域の形成又は広がりを防止するために非連続的な場所でミリングすることを有する。二つ以上のミリング・ボックスが典型的に実施され、一つ以上のボックスがスポットの大きさよりも大きいピクセルスペーシングを有し、最後のボックスは、エッチングされた域の均一且つ平面のフロアを生成するためにスポットの大きさよりも小さい従来のピクセルスペーシング(デフォルト・ミリング)を使用する。

請求項（抜粋）：

集束イオンビームを特徴付けるスポットの大きさよりも大きい第1のピクセルスペーシングによって特徴付けられる第1のパターンで銅の方に集束イオンビームを方向付ける段階と、ピクセルスペーシングによって夫々特徴付けられる一つ以上の追加パターンで上記銅の方に上記集束イオンビームを方向付ける段階とを有し、試料上の銅を集束イオンビームでミリングする方法であって、一つ以上の追加パターンが使用される場合、最後のパターンのピクセルスペーシングが上記イオンビームのスポットの大きさよりも小さい又は略等しくなるまで、上記一つ以上の追加パターンは夫々段々に小さくなるピクセルスペーシングを有し、それにより銅が略残留しないミリングされた域の均一、且つ、平滑なフロアを生成する方法。

IPC (5件)：

H01L 21/302 201 , H01J 27/26 , H01J 37/08 , H01J 37/305 , H01J 37/317

FI (5件)：

H01L 21/302 201 B , H01J 27/26 , H01J 37/08 , H01J 37/305 A , H01J 37/317 D

Fターム (11件)：

5C030DF04 , 5C034BB09 , 5C034DD01 , 5C034DD05 , 5F004AA01 , 5F004BA17 , 5F004DB08 , 5F004EA28 , 5F004EA31 , 5F004EA32 , 5F004EA39

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平1-280759
水蒸気増強型荷電粒子線加工方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平8-531078 出願人：ノース・キャロライナ・ステイト・ユニヴァーシティ
特開平1-130158

全件表示

審査官引用 (8件)

特開平1-280759
特開平1-280759
特開平1-280759

全件表示

前のページに戻る