特許
J-GLOBAL ID：200903063565664279
半導体処理装置用チャンバー
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-004885
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211699
出願日： 1994年01月20日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【目的】 チャンバー内のプラズマ密度を均一な状態としてウエハの処理を行なうことによりデバイスの歩留を低下させることのない半導体処理装置用チャンバーを提供する。【構成】 ウエハWを保持するステージ4と、ステージ4を上方から覆う半球状のベルジャー15と、ベルジャー15の外周面を一定の厚みで覆う絶縁キャップ16と、絶縁キャップ16の外周面に沿って螺旋状に巻回されてチャンバー12内にプラズマを発生させるための電極17と、隣接する互いの間隔が一定とされ、内部に電極17が装入される案内溝24が形成され、絶縁キャップ16の外周面に沿って設置されて電極17を外方側から押さえる電極押さえ部材18とにより構成されている。
請求項（抜粋）：
ウエハを保持するステージと、内部が真空排気可能とされ、処理ガスが供給されるとともにプラズマを発生させることにより前記ウエハの処理を行なうべく、前記ステージを上方から覆う半球状のベルジャーと、該ベルジャーの外周面を一定の厚みで覆う誘電体層と、該誘電体層の外周面に沿って螺旋状に巻回され、一端に高周波電源が接続されて前記ベルジャーの内部にプラズマを発生させるための電極とにより構成されたことを特徴とする半導体処理装置用チャンバー。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/205
, H01L 21/31
H01L 21/302 B
, H01L 21/302 H
, H01L 21/31 C
