特許
J-GLOBAL ID:200903063592492463
液晶表示装置及びその製造方法並びに2メタル積層構造の製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
曾我 道治
, 古川 秀利
, 鈴木 憲七
, 梶並 順
, 上田 俊一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-338022
公開番号(公開出願番号):特開2008-165240
出願日: 2007年12月27日
公開日(公表日): 2008年07月17日
要約:
【課題】4回のマスク工程でアレイ基板を製造でき、2メタル積層構造においてアンダーカット現象を防止すると共に順テーパを形成でき、また、ウェーブノイズの発生を防止して高画質を実現すると共に、開口領域を拡大して高輝度を実現する。【解決手段】第1マスク工程により第1基板の画素部にゲート電極及びゲートラインを形成する段階、第2マスク工程によりゲート電極の上部に第1絶縁膜が介在した状態で島状のアクティブパターンを形成し、画素部にゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインを形成する段階、第3マスク工程により画素部にソース及びドレイン電極を形成し、画素領域に画素電極を形成する段階、ソース及びドレイン電極の上部にソース及びドレイン電極と順テーパを有するソース及びドレイン電極パターンをそれぞれ形成する段階、第4マスク工程により第1基板上に第2絶縁膜を形成する段階とを含む。【選択図】図10D
請求項(抜粋):
画素部、第1パッド部、及び第2パッド部に区分される第1基板を提供する段階と、
第1マスク工程により前記第1基板の画素部にゲート電極及びゲートラインを形成する段階と、
第2マスク工程により、前記ゲート電極の上部に第1絶縁膜が介在した状態で島状のアクティブパターンを形成し、前記第1基板の画素部に前記ゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインを形成する段階と、
第3マスク工程により、前記第1基板の画素部にソース電極及びドレイン電極を形成し、前記画素領域に画素電極を形成する段階と、
前記ソース電極及びドレイン電極の上部にそれぞれ形成され、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と順テーパを有するソース電極パターンとドレイン電極パターンを形成する段階と、
第4マスク工程により前記第1基板上に第2絶縁膜を形成する段階と、
前記第1基板と前記第2基板とを貼り合わせる段階と
を含む液晶表示装置の製造方法。
IPC (4件):
G02F 1/136
, H01L 21/336
, H01L 29/786
, G02F 1/134
FI (5件):
G02F1/1368
, H01L29/78 612D
, H01L29/78 616U
, G02F1/1343
, H01L29/78 616T
Fターム (39件):
2H092GA29
, 2H092GA42
, 2H092JA26
, 2H092JA42
, 2H092JA44
, 2H092JA46
, 2H092JB24
, 2H092JB61
, 2H092KA04
, 2H092KA05
, 2H092KB04
, 2H092MA04
, 2H092MA13
, 2H092MA14
, 2H092MA15
, 2H092MA18
, 2H092NA07
, 2H092NA22
, 2H092NA27
, 5F110AA16
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD02
, 5F110EE02
, 5F110EE03
, 5F110EE06
, 5F110EE14
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110HK02
, 5F110HK03
, 5F110HK04
, 5F110HK06
, 5F110HK07
, 5F110HK09
, 5F110HK16
, 5F110HK22
, 5F110HK25
, 5F110HM03
引用特許:
審査官引用 (3件)
-
液晶表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-286046
出願人:株式会社日立製作所
-
多層薄膜パターンの製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-300770
出願人:株式会社東芝, 東芝電子エンジニアリング株式会社
-
アクティブマトリクス基板の製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-209994
出願人:日本電気株式会社, 鹿児島日本電気株式会社
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