多層薄膜パターンの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：蔦田璋子 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-300770
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110631
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】一つのフォトマスクを用いて、多層膜を一括してパターニングする工程を含む、多層膜パターンの製造方法において、多層膜パターンの端面から張り出すひさし部分(オーバーハング部)の生成、及びこれに起因する不良の発生を充分に防止することができるものを提供する。【解決手段】金属膜5と、これを覆うアモルファスITO膜4とからなる多層膜をパターニングするにあたり、(a)ITO膜4のエッチング→(b)金属膜5の充分なエッチング→(c)ITO膜4の金属膜5パターンからのひさし部分を除去するためのエッチング、という一連の工程を行なう。または、(a)ポストベーク前のレジストパターンの下でのITO膜4のエッチング→ (b)ポストベークによるレジストパターンの拡大→ (c)ポストベーク後のレジストパターンの下での金属膜5のエッチング、という一連の工程を行なう。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に第1の薄膜、及びこれに直接覆われる第2の薄膜を堆積して多層膜を形成する工程と、この多層膜の上に一つのレジストパターンを形成する工程と、この一つのレジストパターンの下で、前記第1及び第2の薄膜を順次エッチングする工程とを含む多層薄膜パターンの製造方法において、前記第1の薄膜をパターニングする第1エッチング工程と、前記第2の薄膜をパターニングする第2エッチング工程と、この第2エッチング工程の後に、前記第1の薄膜のパターンに対する選択的なエッチングを施すことにより、前記第1の薄膜のパターンの輪郭を前記レジストパターンにおける内側へと後退させる第3エッチング工程とからなることを特徴とする多層薄膜パターンの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/306 , H01L 21/027 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/306 F , H01L 21/30 571 , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 627 C

Fターム (37件)：

5F043AA27 , 5F043BB15 , 5F043CC11 , 5F043DD13 , 5F043DD22 , 5F043GG03 , 5F043GG10 , 5F046AA28 , 5F046KA05 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE06 , 5F110EE44 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG44 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK22 , 5F110HK25 , 5F110NN73 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ09 , 5F110QQ10

引用特許：

審査官引用 (5件)

液晶表示装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-160634 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-213427
Cr/Cu/Cr配線構造体の製造方法並びにそれを用いたプラズマディスプレイパネルの製造方法並びにそれを用いた画像表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-173315 出願人：株式会社日立製作所

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