特許
J-GLOBAL ID：200903063597423168
ヘリコンプラズマを用いた超微粒子薄膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八木田 茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-364723
公開番号（公開出願番号）：特開2002-167671
出願日： 2000年11月30日
公開日（公表日）： 2002年06月11日
要約：
【要約】【課題】超微粒子の粒径を大幅に変えることができしかも超微粒子の収率のよく、また基板上の成膜範囲を制御できるへリコンプラズマを用いた超微粒子薄膜形成装置を提供する。【解決手段】スパッタカソード室と成膜室とを有し、スパッタカソード室で生成された原子及び超微粒子の集合体を成膜室内の基板に吸着させて薄膜を形成するようにした装置において、スパッタカソード室内に設けたシュラウド内にマグネトロンスパッタカソード部から離間して、超微粒子の発生プロセスを制御する高周波誘導コイルを設けられる。また成膜室にレンズ効果により超微粒子を収束、発散をさせる設けた静電レンズが設けられる。
請求項（抜粋）：
スパッタカソード室と成膜室とを有し、スパッタカソード室にマグネトロンスパッタカソード部の回りに冷媒を貯蔵することが可能なシュラウドを設け、シュラウドで仕切られた閉空間に放電用ガスを導入して発生したプラズマによってマグネトロンスパッタカソード部に取付けられたターゲットからスパッタされた原子及び超微粒子をシュラウドで仕切られた閉空間に導入されるHeガスと衝突させて原子及び超微粒子の集合体を生成し、これを成膜室内の基板に吸着させて薄膜を形成するようにした装置において、シュラウド内にマグネトロンスパッタカソード部から離間して、超微粒子の発生プロセスを制御する高周波誘導コイルを設けたことを特徴とするへリコンプラズマを用いた超微粒子薄膜形成装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 14/34 S
, H01L 21/203 S
4K029AA06
, 4K029BA35
, 4K029BD01
, 4K029CA03
, 4K029DD01
, 4K029DD02
, 5F103AA08
, 5F103BB09
, 5F103BB12
, 5F103BB13
, 5F103BB14
, 5F103DD16
, 5F103GG10
, 5F103LL01
, 5F103LL14
, 5F103NN06
, 5F103RR06
