特許

J-GLOBAL ID：200903087432915119

SiCエピタキシャル成長装置およびSiCエピタキシャル薄膜作成方法

発明者： 諸貫 信行 ,  堀内 俊 ,  三沢 俊司 ,  高木 憲一
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-243456
公開番号（公開出願番号）：特開平11-071200
出願日： 1997年08月25日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 3インチ以上の大きい面積にSiCエピタキシャル薄膜形成方法・装置を提供する。【解決手段】 真空度10-10 Torrの真空チャンバー2に対して10-4Torr台の真空度で成膜が可能でSiターゲット24を取り付けたヘリコンスパッタ銃21、他方はCターゲット34を取り付けたヘリコンスパッタ銃31との、独立して制御し得る2基のヘリコンスパッタ銃21、31、およびSi基板の表面に炭化層を形成させるための高純度C2 H2 の導入ポート41を設けたSiCエピタキシャル装置1を使用して、Si基板11を加熱し、C2 H2 ガスを導入して10-5Torrの真空下にSi基板11の表面に炭化層を形成させ、アルゴンガスを導入して10-4Torr台の真空下に900°C以上で、ヘリコンスパッタ銃21からSi、ヘリコンスパッタ銃31からCを化学量論的に1対1となるようにスパッタリングさせてSiCエピタキシャル薄膜を作成する。

請求項（抜粋）：

到達真空度10-10 Torr台の超高真空チャンバーと、該超高真空チャンバー内にセットされてアノード電極となる基板と、該基板に向けて前記超高真空チャンバーに設置され、10-4Torr台の真空度でスパッタリングが可能であり、一方にはSi(シリコン)ターゲットが取り付けられ、他方にはC(炭素)ターゲットが取り付けられて、かつ独立して制御可能とされた2基の誘導結合rfプラズマ支援マグネトロンスパッタカソードであるヘリコンスパッタ銃とからなることを特徴とするSiCエピタキシャル成長装置。

IPC (3件)：

C30B 29/36 ,  C30B 25/06 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

C30B 29/36 A ,  C30B 25/06 ,  H01L 21/203 S

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 多層膜作成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-345279   出願人：日本真空技術株式会社
• 炭化珪素薄膜の製造方法及び製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-316190   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭61-127695
  
• 特開昭62-230699
  
• 特開平2-109379
  
• 高真空・高速イオン処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-199962   出願人：日本真空技術株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• スパッタリング法によるSiC薄膜の生成