特許

J-GLOBAL ID：200903063620620227

窒素含有部分と酸素含有部分とを含む分割バリア層

発明者： ジェラルド ギブソン ,  スコット ジェセッン ,  スチーヴン アラン ライトル ,  カート ジー. ステイナー ,  スーザン クレイ ヴィトカヴェージ
出願人/特許権者： アギア システムズ インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外10名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-376124
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243505
出願日： 2002年12月26日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 N-H塩基基がフォトレジスト内へ拡散してフォトレジストを不溶性にすることを防ぐ方法を提供する。【解決手段】 銅配線ワイヤを低k誘電体膜とともに用いることが、分割バリア層によって、N-H塩基基がフォトレジスト内へ拡散してフォトレジストを不溶性にすることを防ぐことで可能になる。分割バリア層9は、銅5と低k誘電体17との間に配置され、銅と接触する窒素含有で酸素がない膜11と、低k誘電体膜と接触する酸素含有で窒素がない膜13とを含む。窒素含有膜11は望ましくない酸化銅の形成を防止し、酸素含有膜13は低k誘電体膜内へのN-H塩基基の拡散を防止する。典型的な実施形態では、酸素含有膜は酸素ドープされた炭化ケイ素膜であり得る。N-H塩基基が、低k誘電体膜から拡散し、デュアル・ダマシン開口部を規定するために使用されるフォトレジスト中の酸触媒を中和することを防止する。

請求項（抜粋）：

銅含有構造と低k誘電体膜との間に配置されたバリア層を備え、前記バリア層は、前記銅含有構造との境界を形成する窒素含有で実質的に酸素がない第1の膜と、前記低k誘電体膜との境界を形成する酸素含有で実質的に窒素がない第2の膜とを含む複合膜構造を備える半導体製品。

IPC (4件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (5件)：

H01L 21/314 M ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/90 M ,  H01L 21/90 S

Fターム (40件)：

5F033HH11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM13 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ90 ,  5F033RR01 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033RR27 ,  5F033RR29 ,  5F033SS03 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033XX01 ,  5F033XX20 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F033XX28 ,  5F058BA20 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD18 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体集積回路装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-230423   出願人：株式会社日立製作所
• 極限低誘電率膜のためのキャッピング層
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-318090   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-226876   出願人：株式会社日立製作所