化学蒸着装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：保立浩一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-231513
公開番号（公開出願番号）：特開平10-060650
出願日： 1996年08月13日
公開日（公表日）： 1998年03月03日
要約：

【要約】【課題】基板の表面に対する原料ガスの供給の仕方を工夫して、原料ガスを均一にかつ効率よく供給し、均一性の良好な薄膜を高い成膜速度で作成する。【解決手段】加熱された基板20の表面に原料ガスを供給する原料ガス供給系4は、基板20と同軸上のガス導入口443の周縁から周辺にいくに従って徐々に又は段階的に基板20との距離が狭くなる形状のガス導入ガイド44を備えており、基板20の表面に沿う原料ガスの流れの速度が実質的にゼロとみなせる基板20の表面近傍の領域である中間層の厚さが、ほぼ一定であるか又は流れの向きに徐々にもしくは段階的に薄くなるように原料ガスが供給される。

請求項（抜粋）：

排気系を備えた真空容器と、真空容器内の所定の位置に処理する基板を保持する基板ホルダーと、当該基板を所定温度に加熱する加熱手段と、加熱された基板の表面に原料ガスを供給する原料ガス供給系とを備え、基板の表面又は表面近傍における化学反応を利用して当該表面に所定の薄膜を作成する化学蒸着装置において、前記原料ガス供給系は、基板の表面に沿って原料ガスが流れるように供給するものであるとともに、原料ガスの流れの速度が実質的にゼロとみなせる基板の表面の近傍の領域である中間層の厚さが、ほぼ一定であるか又は流れの向きに徐々にもしくは段階的に薄くなるように供給するものであることを特徴とする化学蒸着装置。

IPC (3件)：

C23C 16/44 , H01L 21/205 , H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 16/44 D , H01L 21/205 , H01L 21/285 C

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平3-119728
化学気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-216648 出願人：日新電機株式会社
減圧処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-304482 出願人：ソニー株式会社

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審査官引用 (6件)

特開平3-119728
化学気相成長装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-216648 出願人：日新電機株式会社
減圧処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-304482 出願人：ソニー株式会社

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