特許

J-GLOBAL ID：200903063697206229

磁性メモリ及びその動作方法

発明者： 岡澤 武 ,  末光 克巳
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 工藤 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-139382
公開番号（公開出願番号）：特開2002-334971
出願日： 2001年05月09日
公開日（公表日）： 2002年11月22日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 一のメモリセルに、より多くのデータが記憶可能な磁性メモリを提供する。【解決手段】 本発明による磁性メモリは、トンネル絶縁層(5-1〜5-3)が自発磁化をそれぞれ有する第1〜第(n+1)磁性体層(4、6-1〜6-3)第i磁性体層の間に介設されている。ここで、第i磁性体層と第(i+1)磁性体層との間の第i接合抵抗は、第i自発磁化と第(i+1)自発磁化が同一方向であるとき、Riであり、第i自発磁化と第(i+1)自発磁化が反対方向であるとき、第i接合抵抗は、Ri+ΔRiであるとする。このとき、ΔR1、ΔR2、...、ΔRnは、互いに異なるように定められている。このような構成を有する当該磁性メモリでは、第1〜第(n+1)自発磁化の方向に応じて、第1磁性体層と第(n+1)磁性体層との間の抵抗値が、少なくとも{(n2+n+2)/2}個以上の互いに異なる値をとり得る。

請求項（抜粋）：

第1〜第nトンネル絶縁層と(nは2以上の自然数)、第1〜第(n+1)自発磁化をそれぞれ有する第1〜第(n+1)磁性体層とを備え、前記第1〜第nトンネル絶縁層のうちの第iトンネル絶縁層(iは、1以上n以下の任意の整数)は、前記第1〜第(n+1)磁性体層のうちの第i磁性体層と第(i+1)磁性体層の間に介設され、前記第i磁性体層と前記第(i+1)磁性体層との間の第i接合抵抗は、前記第1〜第(n+1)自発磁化のうちの第i自発磁化と前記第(i+1)自発磁化が同一方向であるとき、Riであり、前記第i接合抵抗は、前記第i自発磁化と前記第(i+1)自発磁化が反対方向であるとき、Ri+ΔRiであり、前記ΔR1、ΔR2、...、ΔRnのうちの少なくとも2つが異なる磁性メモリ。

IPC (5件)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/32 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (5件)：

5E049BA06 ,  5E049DB11 ,  5F083FZ10 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気素子、磁気メモリおよび光磁気素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-241567   出願人：株式会社東芝
• 磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-072579   出願人：株式会社東芝
• 特許第6169689号