特許
J-GLOBAL ID：200903063700698030
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-247533
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077248
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 コムフレームを用いて樹脂封止する際にダイスパッドを樹脂の流れを受けてもダイスパッドを変形させないようにする。【解決手段】 コムフレーム11をダイスパッド2の少なくとも一部を両側から挟みこむように金型8で固定し(図1(a))、樹脂13を流し込んでプリモールドパッケージ14を形成する(図1(b))。その後、このダイスパッド2の片面に半導体素子6を固定し、半導体素子6上のボンディングパッドとあらかじめ露出するように成形されたプリモールドパッケージ14の電極リード3とを電極ワイヤ7で結線し(図1(c))、最後にコムフレーム11の外枠4から切り出すと同時に所定の長さに電極リード3をカットして半導体装置を完成させる(図1(d))。
請求項（抜粋）：
互いに表裏の関係にある2枚の主面を備えたダイスパッドを有するコムフレームを、前記ダイスパッドの主面に向かって凹部と凸部とを有しかつ一部に樹脂封入口を有する1対の金型を用い、前記ダイスパッドの主面の少なくとも一部を前記凸部で押さえて挟み、前記樹脂封入口より前記凹部に樹脂を流し込んで樹脂成形を行う工程を有する半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
Fターム (11件)：
4M109AA01
, 4M109AA04
, 4M109BA01
, 4M109CA05
, 4M109CA21
, 4M109DA04
, 4M109DA07
, 4M109DB02
, 4M109EE12
, 4M109EE13
, 4M109GA01
