特許

J-GLOBAL ID：200903063719507309

窒化けい素セラミックス基板およびそれを用いた窒化けい素セラミックス回路基板

発明者： 那波 隆之 ,  山口 秀樹 ,  小松 通泰 ,  山口 晴彦
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝電子エンジニアリング株式会社
代理人 (2件)： 波多野 久 ,  関口 俊三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-264271
公開番号（公開出願番号）：特開2006-069887
出願日： 2005年09月12日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】窒化けい素セラミックス基板を用いて各種パワーモジュールを構成した際にリーク電流の発生を効果的に抑制することができ、大電力化および大容量化したパワーモジュールにおいても絶縁性および動作の信頼性を大幅に向上させることが可能な窒化けい素セラミックス基板およびそのセラミックス基板を使用した回路基板を提供する。【解決手段】粒界相中の最大気孔径が0.3μm以下の窒化けい素焼結体から成り、温度25°C,湿度70%の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に1.5Kv-100Hzの交流電圧を印加したときの電流リーク値が1000nA以下であり、熱伝導率が50W/m・k以上、3点曲げ強度が500MPa以上であり、残留炭素含有量が500ppm以下であることを特徴とする窒化けい素セラミックス基板2である。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

粒界相中の最大気孔径が0.3μm以下の窒化けい素焼結体から成り、温度25°C,湿度70%の条件下で上記窒化けい素焼結体の表裏間に1.5Kv-100Hzの交流電圧を印加したときの電流リーク値が1000nA以下であり、熱伝導率が50W/m・k以上、3点曲げ強度が500MPa以上であり、残留炭素含有量が500ppm以下であることを特徴とする窒化けい素セラミックス基板。

IPC (3件)：

C04B 35/584 ,  H05K 1/03 ,  H01L 23/15

FI (6件)：

C04B35/58 102D ,  H05K1/03 610D ,  C04B35/58 102K ,  H01L23/14 C ,  C04B35/58 102J ,  C04B35/58 102T

Fターム (26件)：

4G001BA01 ,  4G001BA03 ,  4G001BA05 ,  4G001BA06 ,  4G001BA08 ,  4G001BA09 ,  4G001BA12 ,  4G001BA13 ,  4G001BA14 ,  4G001BA32 ,  4G001BA71 ,  4G001BB01 ,  4G001BB03 ,  4G001BB05 ,  4G001BB06 ,  4G001BB08 ,  4G001BB09 ,  4G001BB12 ,  4G001BB13 ,  4G001BB14 ,  4G001BB32 ,  4G001BB71 ,  4G001BD23 ,  4G001BE01 ,  4G001BE26 ,  4G001BE32

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 窒化けい素回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-344238   出願人：株式会社東芝
• 特許第3797905号
  
• 高熱伝導率窒化ケイ素質焼結体およびその製造方法ならびに窒化ケイ素質焼結体製絶縁基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-186003   出願人：日産自動車株式会社
• 高熱伝導性窒化けい素焼結体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-344237   出願人：株式会社東芝
• 高熱伝導性窒化ケイ素焼結体及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-299192   出願人：住友電気工業株式会社