特許
J-GLOBAL ID：200903075034041569

高熱伝導性窒化ケイ素焼結体及びその製造方法

発明者：
山川 晃

山川 晃 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-299192
公開番号（公開出願番号）：特開2000-128643
出願日： 1998年10月21日
公開日（公表日）： 2000年05月09日
要約：
【要約】【課題】 経済的な方法により製造でき、高い曲げ強度と高い熱伝導率をもつ窒化ケイ素焼結体を提供する。【解決手段】 Si3N4結晶粒子相と、Y及びランタノイド系列から選ばれた少なくとも1種の元素の化合物を酸化物換算で0.1〜10重量%含有する粒界相とからなり、0.0001〜0.01重量%の遊離ケイ素が分散している焼結体で、熱伝導率が90W/mK以上且つ曲げ強度が700MPa以上、また絶縁耐圧が10kV/mm以上である。このSi3N4焼結体は、Si粉末にY及びランタノイド元素化合物を混合し、窒化及びその後の焼結により製造できる。
請求項（抜粋）：
窒化ケイ素からなる結晶粒子相と、イットリウム及びランタノイド系列から選ばれた少なくとも1種の元素の化合物を酸化物換算で0.1〜10重量%含有する粒界相とからなり、全体の0.0001〜0.01重量%の遊離ケイ素が分散していることを特徴とする高熱伝導性窒化ケイ素焼結体。
IPC (2件)：
C04B 35/584 ,  C04B 35/591
FI (2件)：
C04B 35/58 102 C ,  C04B 35/58 102 V
Fターム (26件)：
4G001BA06 ,  4G001BA08 ,  4G001BA09 ,  4G001BA13 ,  4G001BA14 ,  4G001BA32 ,  4G001BA62 ,  4G001BA73 ,  4G001BB06 ,  4G001BB08 ,  4G001BB09 ,  4G001BB12 ,  4G001BB13 ,  4G001BB14 ,  4G001BB32 ,  4G001BB62 ,  4G001BB73 ,  4G001BC13 ,  4G001BC45 ,  4G001BC48 ,  4G001BC52 ,  4G001BC57 ,  4G001BD03 ,  4G001BD14 ,  4G001BD23 ,  4G001BE26
引用特許：
審査官引用 (4件)
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