多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-264160
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115204
出願日： 1993年09月28日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】液晶表示素子に用いられる電気的なスイッチの機能を向上させ、駆動時に漏泄電流を防止し、活性半導体層の段差を低減させて断線を防止することにより素子の信頼性を向上することにその目的がある。【構成】基板1上に初期絶縁膜2を形成する工程と、前記初期絶縁膜2上に多結晶シリコン3を蒸着し、ソース/ドレーン領域およびチャネル領域が形成されるようにパターニングする工程と、前記パターニングされた多結晶シリコン3上にイオンプラズマを利用して形成された絶縁層を含むようにゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層上にゲート形成用物質を蒸着し、このゲート形成用物質および前記ゲート絶縁層を選択的に除去してゲート7を形成する工程と、前記ゲート7をマスクとして利用したイオン注入により前記多結晶シリコン3上にソース/ドレーン4,5を形成する工程とを含むものである。

請求項（抜粋）：

基板1上に初期絶縁膜2を形成する工程と、前記初期絶縁膜2上に多結晶シリコン3を蒸着し、ソース/ドレーン領域およびチャネル領域が形成されるようにパターニングする工程と、前記パターニングされた多結晶シリコン3上に、イオンプラズマを利用して形成された絶縁層を含むゲート絶縁層を形成する工程と、前記ゲート絶縁層上にゲート形成用物質を蒸着し、このゲート形成用物質および前記ゲート絶縁層を選択的に除去してゲート7を形成する工程と、前記ゲート7をマスクとして利用したイオン注入により前記多結晶シリコン3上にソース/ドレーン4,5を形成する工程と、を含むことを特徴とする多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/205 , H01L 21/265 , H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 29/78 311 G , H01L 21/265 G

引用特許：

出願人引用 (9件)

薄膜半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-012264 出願人：セイコーエプソン株式会社
薄膜半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-033930 出願人：富士ゼロックス株式会社
特開平2-228043

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審査官引用 (11件)

特開平2-228043
特開平4-321219
薄膜半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-012264 出願人：セイコーエプソン株式会社

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