特許
J-GLOBAL ID：200903063744854609
磁気センサ及びその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
志賀 正武
, 渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-065200
公開番号（公開出願番号）：特開2004-193540
出願日： 2003年03月11日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】強い磁界が加わった場合におけるオフセットの動きを抑制することができ、その結果、耐強磁界特性を向上させることができる磁気センサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の磁気センサ1は、石英基板2上に、磁気抵抗効果素子31と磁気抵抗効果素子31の両端に接続される永久磁石膜32、32とからなるGMR素子11〜14、21〜24を形成し、これら磁気抵抗効果素子31、31,...により2軸方向の磁界の大きさを検出するもので、磁気抵抗効果素子31のピンド層のピン止めされた磁化の向きと、磁気抵抗効果素子31の長手方向とは、45°の角度をなすことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも1つの磁気抵抗効果素子が形成され、この磁気抵抗効果素子の両端には永久磁石膜がそれぞれ接続され、この磁気抵抗効果素子により磁界の大きさを検出する磁気センサにおいて、
前記磁気抵抗効果素子のピンド層のピン止めされた磁化の向きと、該磁気抵抗効果素子の長手方向とは、45°の角度をなすことを特徴とする磁気センサ。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L43/08 Z
, H01L43/08 B
, G01R33/06 R
