特許

J-GLOBAL ID：200903063770623739

薄膜形成方法

発明者： 松木 武雄 ,  林 喜宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-158562
公開番号（公開出願番号）：特開平10-007495
出願日： 1996年06月19日
公開日（公表日）： 1998年01月13日
要約：

【要約】【課題】 多元素で構成される金属酸化物誘電体や超誘電体薄膜において、それらの中に昇華しやすい元素,下地に容易に拡散する元素がある場合、下地層との界面領域での構成元素の欠損をなくしてが特性劣化を防止する。【解決手段】 成膜工程を有し、多元素からなる誘電薄膜を形成する薄膜形成方法であって、成膜工程は、下地層上に第1層及び第2層の薄膜を上下2層に堆積形成し、これらを結晶化させて誘電薄膜を成膜させる処理を行なう。その場合、下地層102に近い第1層の薄膜104は、薄膜を構成する少なくとも1種類の元素を、膜外への拡散を考慮して化学量論的組成より大きくして堆積する。

請求項（抜粋）：

成膜工程を有し、多元素からなる誘電薄膜を形成する薄膜形成方法であって、成膜工程は、下地層上に第1層及び第2層の薄膜を上下2層に堆積形成し、これらを結晶化させて誘電薄膜を成膜させる処理であり、下地層に近い第1層の薄膜は、薄膜を構成する少なくとも1種類の元素を、膜外への拡散を考慮して化学量論的組成より大きくして堆積することを特徴とする薄膜形成方法。

IPC (9件)：

C30B 29/30 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/58 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/316

FI (8件)：

C30B 29/30 B ,  C23C 14/06 P ,  C23C 14/08 N ,  C23C 14/58 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 誘電体薄膜素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-108628   出願人：シャープ株式会社
• 半導体記憶装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-278380   出願人：松下電子工業株式会社
• 強誘電体容量とその製造方法及びメモリセル
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-138826   出願人：日本電気株式会社