特許
J-GLOBAL ID：200903020071898071
強誘電体容量とその製造方法及びメモリセル
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-138826
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008407
出願日： 1994年06月21日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：
【要約】【目的】 酸化されやすいが微細加工が可能な材料を下部電極として使えるようにする。また下部電極と絶縁膜の界面状態を良好にする。【構成】 下部電極1上にシリコン窒化酸化膜等の、強誘電体膜からの金属の拡散を防げる絶縁膜2を形成する。その上にSrBi2 Ta2 O9 等の強誘電体膜4を形成する。予め絶縁膜2を設けてから強誘電体膜4を堆積するので、下部電極1の酸化を防ぐことができる。次に上部電極層5を形成する。その結果下部電極1と絶縁膜2の界面状態が良くなり、リーク電流が低減し、絶縁膜厚の制御もできる。また下部電極材料に酸化されやすいが微細加工が可能なポリシリコン、チタン、タングステン等も使えるようになる。
請求項（抜粋）：
下部電極と、この電極上に形成された、強誘電体膜からの金属拡散を防ぐ絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された強誘電体膜と、この強誘電体膜上に形成された上部電極とによって構成されることを特徴とする強誘電体容量。
IPC (5件)：
H01L 27/10 451
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/8242
, H01L 27/108
H01L 27/04 C
, H01L 27/10 325 J
