特許

J-GLOBAL ID：200903063782786625

均一なシリサイド接合を有する集積回路半導体素子及びその製造方法

発明者： 張 世明 ,  泰 教英 ,  呉 容哲 ,  金 ▲ヒュン▼昌
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-117357
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332575
出願日： 2003年04月22日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】 集積回路半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板100上に形成されたゲートスタックパターン110の表面及びゲートスペーサ116上に形成され、ゲートスペーサ116の下端部から半導体基板100の平面方向に突出したオフセットを有するバリア膜スペーサ118aと、ゲートスペーサ116下部の半導体基板100上に形成され、オフセットの底面を露出させる絶縁膜パターンと、ゲートスペーサ116上にバリア膜スペーサ118aにアラインさるべく半導体基板100にソース/ドレーン領域と、ソース/ドレーン領域上にオフセットを覆うように形成され、ソース/ドレーン領域と均一な接合を有するシリサイド130とが形成されている。よって、ソース/ドレーン領域と均一な接合を有するシリサイド130を備えて接合漏れ電流特性を向上させられる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に順番に形成されたゲート絶縁膜、ゲート電極及びキャッピング膜より構成されたゲートスタックパターンと、前記ゲートスタックパターンの両側壁上に形成されたゲートスペーサと、前記ゲートスタックパターンの表面及び前記ゲートスペーサ上に形成され、前記ゲートスペーサの下端部から前記半導体基板の平面方向に突出したオフセットを有するバリア膜スペーサと、前記ゲートスペーサ下部の半導体基板上に形成され、前記オフセットの底面を露出させる絶縁膜パターンと、前記ゲートスペーサ上に形成された前記バリア膜スペーサにアラインさるべく前記半導体基板に形成されたソース/ドレーン領域と、前記ソース/ドレーン領域上に前記オフセットを覆うように形成され、前記ソース/ドレーン領域と均一な接合を有するシリサイドと、を含んでなることを特徴とする集積回路半導体素子。

IPC (7件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/417

FI (8件)：

H01L 21/28 301 S ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/50 M ,  H01L 27/10 671 Z ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 681 F ,  H01L 29/78 301 P

Fターム (61件)：

4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB25 ,  4M104DD02 ,  4M104DD04 ,  4M104DD09 ,  4M104DD46 ,  4M104DD50 ,  4M104DD79 ,  4M104DD84 ,  4M104EE05 ,  4M104EE09 ,  4M104EE17 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG16 ,  5F083AD01 ,  5F083JA35 ,  5F083JA39 ,  5F083JA53 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F083PR07 ,  5F083PR09 ,  5F083PR12 ,  5F083PR25 ,  5F083PR29 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA06 ,  5F140AA24 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG22 ,  5F140BG32 ,  5F140BG41 ,  5F140BG50 ,  5F140BG51 ,  5F140BG53 ,  5F140BG54 ,  5F140BG58 ,  5F140BH06 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK02 ,  5F140BK18 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-295237   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-076355   出願人：株式会社東芝