保護回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-086690
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284128
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：

【要約】【課題】保護回路を構成する保護素子の不純物拡散層のジャンクション耐圧を向上し、かつ素子面積の小さい保護回路を実現する。【解決手段】保護回路の不純物拡散層を同導電型のウェルで囲むことにより、保護素子のジャンクション耐圧を上げる。また、不純物拡散層を正多角形で形成することにより、導通時の電流経路を分散させてジャンクション耐圧を上げる。したがって、保護素子のサイズを小さくしても、ESD耐量を確保することができる。さらに、保護回路の抵抗素子を配線層とスルーホールで形成し、抵抗素子の素子面積を小さくする。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路の入出力端子と内部回路との間に接続される保護回路において、前記入出力端子と接続される高濃度不純物拡散層が同導電型の低濃度不純物拡散層の中に形成され、電源ラインと接続される高濃度不純物拡散層が同導電型の不純物拡散層の中に形成されていることを特徴とする保護回路。

IPC (2件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-034967
静電気保護装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-167861 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平4-071265

全件表示

前のページに戻る