特許

J-GLOBAL ID：200903063817912068

配線基板およびこれを用いた電子装置

発明者： 宮本 義政
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-296029
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111186
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 ニッケルめっき層と半田との間で剥離が発生し、搭載する電子部品を外部電気回路に長期間にわたり、正常に接続することができない。【解決手段】 絶縁基体1に形成した配線導体2の表面に被着させたニッケルめっき層9上に半田7・8を接合させて成る配線基板であって、ニッケルめっき層9は、その表面にニッケル結晶粒界に沿って形成される溝の深さを0.2μm以下としてある。

請求項（抜粋）：

絶縁基体に形成した配線導体の表面に被着させたニッケルめっき層上に半田を接合させて成る配線基板であって、前記ニッケルめっき層表面のニッケル結晶粒界に沿って形成される溝の深さが0.2μm以下であることを特徴とする配線基板。

IPC (3件)：

H05K 3/34 501 ,  C23C 18/36 ,  C23C 18/52

FI (3件)：

H05K 3/34 501 F ,  C23C 18/36 ,  C23C 18/52 B

Fターム (12件)：

4K022AA02 ,  4K022AA42 ,  4K022BA14 ,  4K022BA36 ,  4K022DA01 ,  4K022DB02 ,  4K022DB04 ,  5E319AC02 ,  5E319AC11 ,  5E319AC18 ,  5E319BB07 ,  5E319GG20

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 無電解金めっき方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-028231   出願人：松下電器産業株式会社
• 鉛及び鉛-錫合金めっき浴
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-278900   出願人：三菱マテリアル株式会社, 石原薬品株式会社, 株式会社大和化成研究所
• 特開昭63-062882
  
• 半田及びそれを用いた回路基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-046013   出願人：京セラ株式会社
• 特開昭63-062882