特許
J-GLOBAL ID：200903000790431443

半田及びそれを用いた回路基板

発明者：
金塚 堂

金塚 堂 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-046013
公開番号（公開出願番号）：特開平11-245083
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 1999年09月14日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、表面にAuメッキ層を有する導体パターンに、初期状態及び高温状態においても安定した接合が可能な半田及びそれを用いた回路基板を提供する。【解決手段】基板上に下地導体膜21、Niメッキ層22、Auメッキ層23からなる導体パターン2を形成するとともに、前記導体パターン2に電子部品4などを、Cuが0〜1.0重量%(0を含まない)含有する半田3を介して接合した回路基板である。
請求項（抜粋）：
Cuを1.0重量%以下含有して成る半田。
IPC (3件)：
B23K 35/26 310 ,  H05K 3/34 501 ,  H05K 3/34 512
FI (3件)：
B23K 35/26 310 A ,  H05K 3/34 501 F ,  H05K 3/34 512 C
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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