特許
J-GLOBAL ID:200903075091831479
無電解金めっき方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-028231
公開番号(公開出願番号):特開2000-226672
出願日: 1999年02月05日
公開日(公表日): 2000年08月15日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、素材上に無電解ニッケルめっき下地を形成し、この無電解ニッケルめっき下地上に無電解金めっき膜を形成する無電解金めっき方法に関するもので、はんだ付けした際の無電解ニッケルめっき下地とはんだとの密着力を向上させ、はんだ付け工程における歩留まりを改善し、十分な接続信頼性を確保することを目的とするものである。【解決手段】 素材上に無電解ニッケルめっき下地を形成し、この無電解ニッケルめっき下地上に無電解金めっき膜を形成する無電解金めっき方法において、素材上に形成する無電解ニッケルめっき膜表面の十点平均粗さを0.5μmから1.5μmとする。
請求項(抜粋):
素材上に無電解ニッケルめっき下地を形成し、この無電解ニッケルめっき下地上に無電解金めっき膜を形成する無電解金めっき方法において、素材上に形成する無電解ニッケルめっき膜表面の十点平均粗さを0.5μmから1.5μmとすることを特徴とする無電解金めっき方法。
IPC (3件):
C23C 18/42
, C23C 18/32
, H05K 3/34 501
FI (3件):
C23C 18/42
, C23C 18/32
, H05K 3/34 501 F
Fターム (11件):
4K022AA02
, 4K022AA42
, 4K022BA03
, 4K022BA14
, 4K022BA36
, 4K022CA02
, 4K022DA01
, 4K022DB02
, 4K022DB08
, 5E319AC01
, 5E319AC17
引用特許:
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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