特許
J-GLOBAL ID:200903063821332998

ダイ成形方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 江原 省吾 ,  田中 秀佳 ,  白石 吉之 ,  城村 邦彦 ,  熊野 剛 ,  山根 広昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-403470
公開番号(公開出願番号):特開2005-166936
出願日: 2003年12月02日
公開日(公表日): 2005年06月23日
要約:
【課題】ダイシングされた薄くて大判の半導体ダイをピックアップするに際し、ダイシング後の半導体ダイの反回路面に、ピックアップテープと接着するための薄くて均一な接合材層を形成する方法を提供する。【解決手段】ウェハの回路面に多数の溝を切削したのち、グラインダ8によってウェハの反回路面を研磨すると、複数個の半導体ダイ3,3,...が得られる。次いで、各半導体ダイ3,3,...の反回路面3cに吹付け手段16によって液状の接合材原料4cを吹付ける。液状の接合材原料4cを変性手段17によって変性させると、半導体ダイ3上に接合材4が形成される。半導体ダイ3から表面保護テープ7を剥がし取ると、所望の半導体ダイ3,3,...が得られる。半導体ダイ3,3,...の相互間から露出した表面保護テープ7上に形成された接合材4は、表面保護テープ7を剥がし取る際に、表面保護テープ7と一緒に取り除かれる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ウェハの回路面側にダイシングソーによって多数の溝を切削する工程と、ウェハの回路面側に表面保護テープを貼り付けると共に、ウェハの反回路面側をグラインダによって研磨して前記溝を境にしてウェハを複数個の半導体ダイに分割する工程と、各半導体ダイの反回路面側から液状の接合材原料を噴霧して半導体ダイに薄膜状に吹き付ける工程と、各半導体ダイに吹き付けた液状の接合材原料を所望の接合材組成に変性させて各半導体ダイの反回路面側に接合材を形成する工程と、前記接合材を介して半導体ダイにピックアップテープを貼り付けた状態で各半導体ダイの回路面側から表面保護テープを剥がし取る工程とを含むダイ成形方法。
IPC (1件):
H01L21/301
FI (2件):
H01L21/78 M ,  H01L21/78 Q
引用特許:
出願人引用 (3件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-285221   出願人:株式会社東芝
  • ダイボンダ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2000-293243   出願人:エヌイーシーマシナリー株式会社
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-118646   出願人:日本電装株式会社

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