半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-118646
公開番号（公開出願番号）：特開平8-316496
出願日： 1995年05月17日
公開日（公表日）： 1996年11月29日
要約：

【要約】【目的】保護キャップを有する半導体装置を容易に製造する。【構成】シリコンウェハ27の表面に可動ゲートMOSトランジスタが形成されている。シリコンウェハ27の表面においてトランジスタに対し空隙をもって覆うキャップを設けるためのキャップ形成用シリコンウェハ24を用意し、シリコンウェハ24におけるトランジスタの形成領域の周囲に対応する領域に、樹脂を主成分とする接着剤あるいは低融点ガラスよりなる接合材22を塗布する。このとき、スクリーン印刷法により所望の位置に塗布する。シリコンウェハ27とシリコンウェハ24とを接合材22にて接合する。ウェハ27を各チップ毎にダイシングする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に機能素子が形成されるとともに、半導体基板の表面において機能素子に対し空隙をもって覆うキャップが設けられた半導体装置の製造方法であって、キャップ形成用ウェハにおける前記機能素子の形成領域の周囲に対応する領域に、樹脂を主成分とする接着剤または低融点ガラスよりなる接合材を塗布する第1工程と、機能素子形成用の半導体ウェハとキャップ形成用ウェハとを前記接合材にて接合する第2工程と、前記半導体ウェハを各チップ毎にダイシングする第3工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/84 , G01L 9/04 101

FI (2件)：

H01L 29/84 B , G01L 9/04 101

引用特許：

審査官引用 (9件)

加速度センサおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-164123 出願人：株式会社村田製作所
赤外線センサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-069480 出願人：株式会社村田製作所
半導体素子収納用パッケージ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-267295 出願人：京セラ株式会社

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