特許

J-GLOBAL ID：200903063824606452

半導体装置及びその製造方法

発明者： 鎌田 和宏
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-046342
公開番号（公開出願番号）：特開2007-142474
出願日： 2007年02月27日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：

【課題】 半導体素子を封止する封止体の量を常に一定にした発光装置を提供すること。【解決手段】 半導体素子と、半導体素子を載置するステムと、半導体素子を覆う封止体と、を有し、ステムは半導体素子が載置される底面と側面を持つ第1の凹部が形成されており、さらに第1の凹部の外側に第2の凹部が形成されており、第1の凹部と第2の凹部は、第1の凹部の側壁により互いに分離されている半導体装置に関する。ステムの第1の凹部内に樹脂を注入すると余分な樹脂が溢れ出て、第2の凹部内に溜まり、第1の凹部内には常に一定量の封止体が配置されることとなる。【選択図】 図8

請求項（抜粋）：

半導体素子と、前記半導体素子を載置するステムと、前記半導体素子を覆う封止体と、を有する半導体装置であって、 前記ステムは、前記半導体素子が載置される底面と側面を持つ第1の凹部が形成されており、さらに前記第1の凹部の外側に第3の凹部が形成されており、 前記第1の凹部は、開口部上方の方が底面側よりも開口面積が大きく、側壁が傾斜されており、 前記第1の凹部の上面は、前記第3の凹部の底面よりも高く、 前記第1の凹部内は、前記封止体により覆われていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (9件)：

5F041AA43 ,  5F041DA07 ,  5F041DA09 ,  5F041DA12 ,  5F041DA35 ,  5F041DA45 ,  5F041DA57 ,  5F041DA58 ,  5F041DB09

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭54-19660号公報
  
• 半導体発光装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-005109   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (1件)

• 受光/発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-199267   出願人：スタンレー電気株式会社