特許

J-GLOBAL ID：200903063842518722

時分割多重方式(TDM)エッチング・プロセスにおけるプロセス制御のための方法および装置

発明者： ライ、ショウリアン ,  ジョンソン、デビッド ,  ウェスターマン、ラッセル
出願人/特許権者： ウナクシス ユーエスエイ、インコーポレイテッド
代理人 (4件)： 浅村 皓 ,  浅村 肇 ,  安藤 克則 ,  池田 幸弘
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-510086
公開番号（公開出願番号）：特表2006-523041
出願日： 2004年04月02日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：

本発明は、時分割多重方式のプロセスの間の真空チャンバ内の圧力の制御方法を提供する。スロットル・バルブを、事前に位置決めして、所定の時間の間保持する。プロセス・ガスを、シリコン・ウェハの関連するプラズマ・ステップ(堆積またはエッチング)の間に、真空チャンバ内に導入する。所定の時間の終了時に、スロットル・バルブを設定位置から解放して、プロセス・ガスを流し続ける。この時点で、スロットル・バルブを、関連するプラズマ・ステップの残りの時間だけ続く時間の間、比例微分積分制御によって調整する。

請求項（抜粋）：

基板内のフィーチャを異方性エッチングするための方法であって、 基板を、プラズマ・チャンバ内の交互の周期的プロセスにさらすステップであって、前記交互の周期的プロセスは、エッチング・ステップおよび堆積ステップを有するステップと、 前記プラズマ・チャンバ内に、前記交互の周期的プロセスの堆積ステップの間に基板に膜を堆積するための第1のプロセス・ガスを導入するステップと、 前記プラズマ・チャンバ内に、前記交互の周期的プロセスのエッチング・ステップの間に基板をエッチングするための第2のプロセス・ガスを導入するステップと、 前記交互の周期的プロセスの少なくとも1つのステップの間にスロットル・バルブを所定の位置設定点に所定の時間の間設定することによって前記プラズマ・チャンバの圧力を調整するステップと、 前記交互の周期的プロセスの堆積ステップおよび前記交互の周期的プロセスのエッチング・ステップに対するレシピ時間の間、プラズマを点火するステップと、 前記所定の時間が満了した後でクローズド・ループの圧力制御アルゴリズムを有効にするステップと、 ステップの残りの時間だけ続く時間の間、クローズド・ループの圧力制御によって、前記プラズマ・チャンバ内のレシピ指定の圧力設定点に圧力を制御するステップと、を含む方法。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/302 101C

Fターム (12件)：

5F004AA01 ,  5F004AA02 ,  5F004BA20 ,  5F004BB28 ,  5F004BC03 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA08 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DB01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 反応室の制御方法と反応室の制御装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-011078   出願人：松下電器産業株式会社
• 真空プロセッサの圧力を制御する方法及び装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-535433   出願人：ラムリサーチコーポレイション
• 半導体基盤の表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-206672   出願人：サーフィステクノロジーシステムズリミテッド