半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：和泉良彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-298172
公開番号（公開出願番号）：特開2002-105650
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
要約：

【要約】【課題】効率よく基板を熱処理する。【解決手段】装置本体1に排気口2を設け、装置本体1の上部にシャワーヘッド3を設け、装置本体1にシャワーヘッド3の上部の空間に開口したガス供給管4を取り付け、装置本体1に昇降可能に支持体5を取り付け、支持体5にベース6を取り付け、ベース6にヒータ電極8、ヒータ支持体13を介してヒータ7を取り付け、支持体5にサセプタ9を取り付け、サセプタ9上にシリコンウェハ10を載置し、装置本体1内にシリコンウェハ10を処理する反応室12を形成し、シリコンウェハ10を反応室12へ導入する前に、反応室12内の熱系にシリコンウェハ10の温度を処理温度まで昇温させるのに必要な熱量と等量の熱量もしくはそれ以上の熱量を加えるよう、ヒータ発熱時間、発熱量を制御するヒータ制御手段(図示せず)を設ける。

請求項（抜粋）：

基板を反応室へ導入後、基板温度を処理温度まで昇温させて、上記基板を熱処理する半導体装置の製造方法において、上記基板を上記反応室へ導入する前に、上記反応室内の熱系に基板温度を処理温度まで昇温させるのに必要な熱量と等量の熱量もしくはそれ以上の熱量を加えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

Fターム (6件)：

4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030HA13 , 4K030KA24 , 4K030KA41

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-201012
特開平2-039525
電気炉の加熱制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-116461 出願人：国際電気株式会社

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