特許
J-GLOBAL ID：200903063861999243
磁気抵抗効果素子とそれを用いた磁気ヘッドおよび磁気記憶装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-117235
公開番号（公開出願番号）：特開平10-312514
出願日： 1997年05月07日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】 反転構造やデュアルエレメントタイプのスピンバルブGMRヘッド等において、例えば狭トラック化した場合におけるバルクハウゼンノイズの発生を有効に抑制する。【解決手段】 磁化固着層およびこの磁化固着層上に順に積層形成された非磁性層および外部磁界により磁化方向が変化する感磁層18を有するスピンバルブGMR14と、スピンバルブGMR14にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加膜22とを具備するスピンバルブGMR素子であって、バイアス磁界印加膜22は高飽和磁化磁性層24と硬質磁性層23との積層膜を有している。高飽和磁化磁性層24は、感磁層18の飽和磁化Msfreeおよび硬質磁性層23の飽和磁化Mshardに対し、Mshigh≧MsfreeおよびMshigh≧Mshardの少なくとも一方を満足する飽和磁化Mshighを有している。
請求項（抜粋）：
磁化固着層と、前記磁化固着層上に順に積層形成された非磁性層および外部磁界により磁化方向が変化する感磁層とを有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を印加するバイアス磁界印加膜と、前記磁気抵抗効果膜にセンス電流を供給する電極とを具備し、前記バイアス磁界印加膜は、硬質磁性層と高飽和磁化磁性層との積層膜を有し、かつ前記高飽和磁化磁性層の飽和磁化をMshigh、前記感磁層の飽和磁化をMsfree、前記硬質磁性層の飽和磁化をMshardとしたとき、前記高飽和磁化磁性層はMshigh≧MsfreeおよびMshigh≧Mshardの少なくとも一方を満足することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件)：
G11B 5/39
, H01F 10/30
, H01L 43/08
G11B 5/39
, H01F 10/30
, H01L 43/08 B
, H01L 43/08 Z
