特許

J-GLOBAL ID：200903017669057933

磁気抵抗効果素子

発明者： 林 一彦 ,  藤方 潤一 ,  山本 英文 ,  石原 邦彦 ,  中田 正文
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236470
公開番号（公開出願番号）：特開平9-083039
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【目的】 良好なクロスポイント、再生出力、および良好な出力信号半値幅をもつ、磁気抵抗効果センサを実現すること。【構成】 反強磁性層/第1の強磁性層/非磁性層/第2の強磁性層からなる磁気抵抗効果素子、または反強磁性層/第1の強磁性層/Co層/非磁性層/Co層/第2の強磁性層からなる磁気抵抗効果素子において、反強磁性層がNi酸化物、Ni酸化物とCo酸化物の混合物、もしくはNi酸化物とCo酸化物の積層物からなり、かつ強磁性層膜厚が1〜10nm以下、素子高さが0.1〜1μm 、非磁性層膜厚が2nm〜3nm、反強磁性層膜厚が5〜30nmとすることにより、良好なクロスポイント、再生出力、および良好な出力信号半値幅をもつ、磁気抵抗効果センサを実現することができる。

請求項（抜粋）：

反強磁性層/第1の強磁性層/非磁性層/第2の強磁性層がこの順または逆順に形成された磁気抵抗効果素子、または反強磁性層/第1の強磁性層/Co層/非磁性層/Co層/第2の強磁性層がこの順または逆順に形成された磁気抵抗効果素子において、反強磁性層がNi酸化物またはNi酸化物とCo酸化物の混合物またはNi酸化物とCo酸化物の積層膜のいずれかからなり、かつ強磁性層膜厚が1〜10nmでクロスポイント0.45〜0.55を与える膜厚であり、素子高さが0.1〜1μm 、非磁性層膜厚が2nm〜3nm、反強磁性層膜厚が5〜30nmであることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G01R 33/06 R

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 磁気抵抗効果膜、磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-012881   出願人：株式会社日立製作所
• 磁気抵抗効果膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-334312   出願人：日本電気株式会社
• 複合型薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-285513   出願人：アルプス電気株式会社
• 磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-067085   出願人：住友金属工業株式会社