特許
J-GLOBAL ID：200903063867007285
半導体圧力センサおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-136229
公開番号（公開出願番号）：特開平10-325772
出願日： 1997年05月27日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：
【要約】【課題】 高い圧力を検出する。【解決手段】 n形シリコン基板1の中央にダイアフラム部2を設け、ダイアフラム部2にp形ピエゾ抵抗3を形成し、n形シリコン基板1にp形ピエゾ抵抗3と接続されたパッド電極4を形成し、貫通孔8を有するガラス・キャップ7をn形シリコン基板1に陽極接合し、n形シリコン基板1とガラス・キャップ7との間に基準圧室9を形成し、ガラス・キャップ7のn形シリコン基板1が陽極接合されている面と反対側の面に金属ベース10を陽極接合し、金属ベース10のガラス・キャップ7の貫通孔8に対応する位置にリード12をハーメチックシール材11で固定し、リード12の先端とパッド電極4とを導電剤13を介して電気接続する。
請求項（抜粋）：
ダイアフラム部にピエゾ低抗が形成された半導体基板の上記ピエゾ抵抗が形成された面にガラス・キャップを接合し、上記半導体基板と上記ガラス・キャップとの間に基準圧室を形成した半導体圧力センサにおいて、上記ガラス・キャップの上記半導体基板が接合されている面とは反対側の面に金属ベースを接合し、上記半導体基板に上記ピエゾ抵抗と接続されたパッド電極を形成し、上記パッド電極と接続されかつ上記ガラス・キャップおよび上記金属ベースを貫通したリードを設けたことを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (3件)：
G01L 9/04 101
, G01L 19/06 102
, H01L 29/84
G01L 9/04 101
, G01L 19/06 102
, H01L 29/84 B
