スパッタリング装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-070431
公開番号（公開出願番号）：特開平10-251849
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年09月22日
要約：

【要約】【課題】本発明は、ターゲットに対するプラズマ密度の均一化を図り、基体上に均一な膜質を有する堆積膜の形成が可能なスパッタリング装置を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のスパッタリング装置は、内部が減圧可能な容器の中に、平行平板型の2つの電極Iと電極IIを備え、前記電極Iの上にはスパッタリングされるターゲットと、前記電極IIの上には膜を堆積させる基体とが、それぞれ対向して配置してあり、ガス供給システムから前記容器中にプロセスガスを導入し、少なくとも前記電極Iを介して前記ターゲットに高周波電力を印加して、電極Iと電極IIとの間にプラズマを生起させるスパッタリング装置において、少なくとも前記ターゲットのスパッタリングされる面に対して水平な磁場を導入する手段が、前記容器の外部に設けてあることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

内部が減圧可能な容器の中に、平行平板型の2つの電極Iと電極IIを備え、前記電極Iの上にはスパッタリングされるターゲットと、前記電極IIの上には膜を堆積させる基体とが、それぞれ対向して配置してあり、ガス供給システムから前記容器中にプロセスガスを導入し、少なくとも前記電極Iを介して前記ターゲットに高周波電力を印加して、電極Iと電極IIとの間にプラズマを生起させるスパッタリング装置において、少なくとも前記ターゲットのスパッタリングされる面に対して水平な磁場を導入する手段が、前記容器の外部に設けてあることを特徴とするスパッタリング装置。

IPC (3件)：

C23C 14/35 , H01L 21/203 , H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 14/35 E , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平3-243764
特公平7-015900
ドライプロセス装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平1-298694 出願人：木下治久, 国際電気株式会社

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審査官引用 (18件)

特開平3-243764
特開平3-243764
特開平3-243764

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