特許
J-GLOBAL ID：200903063876153901

固体撮像装置

発明者：
竹内 豊

竹内 豊 について

, 
柴田 勝弘

柴田 勝弘 について


出願人/特許権者：
富士フイルムマイクロデバイス株式会社

富士フイルムマイクロデバイス株式会社 について

, 
富士写真フイルム株式会社

富士写真フイルム株式会社 について


代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  栗宇 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-181353
公開番号（公開出願番号）：特開2004-032059
出願日： 2002年06月21日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】固体撮像装置を低コストで製造し、しかも、高感度画素と低感度画素に入射光を効率的に分配する。【解決手段】入射光量に応じた電荷を蓄積する光電変換素子12H,12Lが縦横に配列形成された半導体基板10の表面にマイクロレンズ層16が積層される固体撮像装置10において、マイクロレンズ層16に設けるマイクロレンズ16Hを光電変換素子のうち高感度画素として用いる光電変換素子12Hにだけ設け、残りの低感度画素として用いる光電変換素子12Lに対面する位置のマイクロレンズ層16を平面構成16Lまたは穴あき構成16Lとする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
入射光量に応じた電荷を蓄積する光電変換素子が縦横に配列形成された半導体基板の表面側にマイクロレンズ層が積層される固体撮像装置において、前記マイクロレンズ層に設けるマイクロレンズを前記光電変換素子のうち高感度画素として用いる光電変換素子にだけ設け、残りの低感度画素として用いる光電変換素子に対面する位置のマイクロレンズ層を平面構成または穴あき構成としたことを特徴とする固体撮像装置。
IPC (3件)：
H04N5/335 ,  H01L27/14 ,  H01L31/0232
FI (3件)：
H04N5/335 V ,  H01L27/14 D ,  H01L31/02 D
Fターム (21件)：
4M118AA02 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA02 ,  4M118GB02 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX47 ,  5C024CY47 ,  5C024EX42 ,  5C024EX43 ,  5C024GX03 ,  5F088AA01 ,  5F088BA05 ,  5F088BB03 ,  5F088EA04 ,  5F088HA10 ,  5F088JA12 ,  5F088JA13
引用特許：
審査官引用 (9件)
  • 固体撮像素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-230856   出願人：ソニー株式会社
  • 特開平3-283572
  • 固体撮像装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-249273   出願人：株式会社東芝
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