炭化ケイ素単結晶製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 栗原彰 , 川又澄雄 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-333222
公開番号（公開出願番号）：特開2006-143497
出願日： 2004年11月17日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：

【課題】炭化ケイ素単結晶製造装置の昇華用原料配置部の温度分布を均一に保てる装置を提供する。【解決手段】昇華させた炭化ケイ素を種結晶上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を製造するための、昇華用原料を収容する容器と、昇華用原料に対向して設けられた種結晶配置部とを備える炭化ケイ素単結晶製造装置であって、上記昇華用原料を収容する容器は、昇華用原料収容部の底部に断熱部を備える炭化ケイ素単結晶製造装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

昇華させた炭化ケイ素を種結晶上に再結晶させて炭化ケイ素単結晶を製造するための、昇華用原料を収容する容器と、昇華用原料に対向して設けられた種結晶配置部とを備える炭化ケイ素単結晶製造装置であって、前記昇華用原料を収容する容器は、昇華用原料収容部の底部に断熱層を具備する断熱部を備えることを特徴とする炭化ケイ素単結晶製造装置。

IPC (1件)：

C30B 29/36

FI (1件)：

C30B29/36 A

Fターム (8件)：

4G077AA02 , 4G077BE08 , 4G077DA18 , 4G077EG19 , 4G077EG25 , 4G077HA12 , 4G077SA01 , 4G077SA11

引用特許：

出願人引用 (1件)

4H形炭化珪素単結晶の成長方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-126463 出願人：新日本製鐵株式会社

審査官引用 (3件)

SiC単結晶の生成方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-560301 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
特開平3-153594
特開平2-030699

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