SiC単結晶の生成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-560301
公開番号（公開出願番号）：特表2002-520252
出願日： 1999年07月05日
公開日（公表日）： 2002年07月09日
要約：

【要約】炭化ケイ素(SiC)単結晶(10)を生成するための本発明の装置は、固体のSiCから成る貯蔵物(31)を入れる貯蔵領域(30)及びSiC種晶(11)を入れるための結晶範囲(12)を有する坩堝(20)を含む。坩堝(20)内にガラス状炭素から成る中子(51)を配置する。その方法においては、貯蔵物を加熱することにより固体のSiCを昇華し、気相のSiCを生成し、これをSiC種晶に搬送し、そこでSiC単結晶として成長させる。ガラス状炭素から成る中子は熱流(61)を制御する機能を果たす。

請求項（抜粋）：

a) 坩堝(20)が、al) 固体のSiCから成る貯蔵物を入れる少なくとも1つの貯蔵領域(30 )と、a2) SiC単結晶(10)を成長させるため、それぞれ1個のSiC種晶 (11)を入れる少なくとも1つの結晶領域(12)とを持ち、b) 坩堝(20)の外側に配置された加熱装置(40)を含んでいる、少なくとも1個の炭化ケイ素単結晶(10)を生成するための装置において、c) 坩堝(20)内にガラス状炭素から成る少なくとも1つの中子(51、5 2、53)が配置されていることを特徴とする少なくとも1個の炭化ケイ素(SiC)単結晶の生成装置。

IPC (2件)：

C30B 29/36 , C30B 23/00

FI (2件)：

C30B 29/36 A , C30B 23/00

Fターム (9件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE08 , 4G077DA02 , 4G077EG24 , 4G077EG25 , 4G077HA12 , 4G077SA04 , 4G077SA11

引用特許：

審査官引用 (6件)

炭化珪素単結晶ウエハの製造方法および装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-288129 出願人：新日本製鐵株式会社
SiC単結晶を製造する装置及び方法
公報種別：公表公報出願番号：特願平6-521527 出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
単結晶の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-321052 出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー

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