特許
J-GLOBAL ID：200903063922363894
面発光レーザ及び光伝送システム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-128206
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311175
出願日： 2004年04月23日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】 歩留よく、制御性よく電流狭窄構造を形成することができ、安定したレーザ特性を持つ、平坦化工程が不用な、機械的強度が高い面発光レーザを提供する。【解決手段】 半導体基板上に、下部半導体多層膜反射鏡(下部半導体DBR)、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層、第1の上部半導体多層膜反射鏡(第1の上部半導体DBR)、第2の上部多層膜反射鏡(第2の上部DBR)が順次に設けられ、前記第1の上部半導体多層膜反射鏡の少なくとも一部の層には、複数の高抵抗領域形成用孔が設けられ、複数の高抵抗領域形成用孔から酸化を施して高抵抗領域形成用孔の周辺に高抵抗領域を形成することで、導電性領域と前記高抵抗領域形成用孔の周辺に形成された高抵抗領域とからなる電流狭窄層が形成されている。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、下部半導体多層膜反射鏡(下部半導体DBR)、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層、第1の上部半導体多層膜反射鏡(第1の上部半導体DBR)、第2の上部多層膜反射鏡(第2の上部DBR)が順次に設けられ、前記第1の上部半導体多層膜反射鏡の少なくとも一部の層には、複数の高抵抗領域形成用孔が設けられ、複数の高抵抗領域形成用孔から酸化を施して高抵抗領域形成用孔の周辺に高抵抗領域を形成することで、導電性領域と前記高抵抗領域形成用孔の周辺に形成された高抵抗領域とからなる電流狭窄層が形成されていることを特徴とする面発光レーザ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (20件)：
5F173AC03
, 5F173AC13
, 5F173AC14
, 5F173AC35
, 5F173AC52
, 5F173AC53
, 5F173AF03
, 5F173AF92
, 5F173AH02
, 5F173AH04
, 5F173AH08
, 5F173AH14
, 5F173AK02
, 5F173AP05
, 5F173AP09
, 5F173AP32
, 5F173AP33
, 5F173AP35
, 5F173AR93
, 5F173AR99
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (2件)
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