特許
J-GLOBAL ID：200903029802635919
面発光半導体レーザ素子の製造方法および面発光半導体レーザ素子および光伝送システム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-128813
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324251
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：
【要約】【課題】 制御性良く電流狭窄構造を形成でき、放熱性に優れ、安定したレーザ特性が得られる面発光半導体レーザ素子を、低コストで作製することの可能な面発光半導体レーザ素子の製造方法および面発光半導体レーザ素子および光伝送システムを提供する。【解決手段】 基板101上の素子構成膜の共振器領域の周辺に、素子構成膜の表面と垂直な方向に少なくとも1つの高抵抗部形成用孔110が穿設され、この孔110の底部が上部ミラー層106の底面付近に達しており、この孔110を通して活性層104近傍に高抵抗化する分子または元素を導入することにより、電流経路部104aを狭めるための高抵抗部(電流狭窄構造)111を形成することができる。
請求項（抜粋）：
面発光半導体レーザ素子の素子構成膜の共振器領域の周辺に少なくとも1つの高抵抗部形成用孔を形成し、該高抵抗部形成用孔を通して前記素子構成膜中に高抵抗化する分子または元素を導入して素子構成膜中に電流狭窄構造を形成する工程を有していることを特徴とする面発光半導体レーザ素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (8件)：
5F073AA65
, 5F073AA74
, 5F073AB17
, 5F073CA05
, 5F073CA17
, 5F073DA05
, 5F073DA25
, 5F073DA27
