特許
J-GLOBAL ID：200903063926346226
マルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
長谷 照一
, 神谷 牧
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-061852
公開番号（公開出願番号）：特開2004-348937
出願日： 2004年03月05日
公開日（公表日）： 2004年12月09日
要約：
【課題】本発明はマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置に関し、特に複数のセルを同時に選択してリード/ライト動作を行うことによりチップの動作速度を向上させることができるようにする技術を開示する。【解決手段】このような本発明は、複数のセルを同時に選択し、選択された複数のセル平均特性を利用して安定的で分布が小さいセンシング値を得ることができるようになる。従って、複数のセルの平均特性により得られた安定化した電荷値に従い複数のビットをリード/ライトすることにより、不揮発性強誘電体メモリの動作速度を向上させることができるようする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
複数のビットラインに連結され同時に活性化される複数のメモリセル;
前記複数のビットラインと一対一対応して連結された複数のカラム選択スイッチ;
前記複数のカラム選択スイッチと共通連結された共通データバス;及び
前記共通データバスを介し印加される平均化したデータの電圧レベルと基準電圧レベルを比較及び増幅するセンスアンプを備え、
前記複数のカラム選択スイッチから各々印加される複数のデータは各々の電荷値が平均化され、前記平均化したデータの電圧レベルが前記共通データバスに出力されることを特徴とするマルチビット制御機能を有する不揮発性強誘電体メモリ装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (3件)
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USP 6,314,016
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USP 6,301,145
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USP 6,067,244
審査官引用 (2件)
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