特許

J-GLOBAL ID：200903063950915770

SiOF膜の成膜方法及び半導体装置

発明者： 小林 金也 ,  福田 ▲琢▼也 ,  加藤 聖隆
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-228036
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074756
出願日： 1996年08月29日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】誘電率が低いSiOF膜を成膜する方法、およびこの方法を用いて形成した絶縁膜を有する半導体装置を提供する。【解決手段】マグネトロン1で発生したマイクロ波と電磁石4による磁場により、成膜容器3内に導入されたSiH2F2ガス7a,O2 ガス7b、およびArガス7cは電離してプラズマが生成される。反応容器内に導入するSiH2F2ガス流量を大きくするか、反応容器内の圧力を高くするか、もしくはマイクロ波パワーを低くする。プラズマの電子温度が低くなり、プラズマ中にSiF2 ラジカルが多くなる。【効果】従来のSiOF膜より誘電率が低く、吸湿性および化学反応性も低いSiOF膜を成膜することができる。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD法でSiOF膜を成膜するSiOF膜の成膜方法において、前記プラズマCVD法はプラズマ中でSiH2F2と酸素原子を含む酸化材とを解離させることを特徴とし、前記プラズマの電子温度は10eV以下であることを特徴とするSiOF膜の成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シリコン化合物系絶縁膜の成膜方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-224066   出願人：ソニー株式会社
• 低誘電体膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-247388   出願人：ソニー株式会社