特許
J-GLOBAL ID：200903019869507383
シリコン化合物系絶縁膜の成膜方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-224066
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069518
出願日： 1995年08月31日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：
【要約】【課題】 低誘電率であり、且つ、膜質にも優れたシリコン化合物系絶縁膜を成膜する方法を提供する。【解決手段】 バイアスECRプラズマCVD装置の反応室3内に原料ガスのプラズマを生成させ、該反応室3内に載置されたウェハW上にシリコン化合物系絶縁膜を成膜するに際し、原料ガスとして、前記プラズマ中に、フッ素を放出可能なガス、例えばSi-F結合を有する無機シリコン化合物のガスを用い、ウェハWにはバイアス電力を印加して、フッ素を含有するシリコン化合物系絶縁膜を成膜する。なお、成膜時には、Ar等の不活性ガスを導入して、プラズマ中でこれらをイオン化し、このイオンのスパッタ作用によってシリコン化合物系絶縁膜の緻密性を向上させる。
請求項（抜粋）：
プラズマCVD装置のチャンバ内に原料ガスのプラズマを生成させ、該チャンバ内に載置された基体上にシリコン化合物系絶縁膜を成膜するに際し、前記原料ガスとして、前記プラズマ中にフッ素を放出可能な化合物を含むガスを用い、前記基体には、バイアス電力を印加して、フッ素を含有するシリコン化合物系絶縁膜を成膜することを特徴とするシリコン化合物系絶縁膜の成膜方法。
引用特許：
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