特許
J-GLOBAL ID：200903028296311526

低誘電体膜の形成方法

発明者：
長谷川 利昭

長谷川 利昭 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-247388
公開番号（公開出願番号）：特開平8-115976
出願日： 1994年10月13日
公開日（公表日）： 1996年05月07日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、化学的気相成長法における原料ガスを変えることで、フッ素濃度とカバリッジ性の制御を両立させた低誘電率のSiOF膜の形成を図るとともに、成膜時に発生するパーティクルからの汚染の低減を図る。【構成】 化学的気相成長法によって、基体11の表面にSiOF膜からなる層間絶縁膜13を成膜する方法であって、化学的気相成長の原料ガスに、少なくとも、ケイ素と水素とフッ素とからなる分子で構成されるガス(SiHFガス)と、酸素を含むガス(酸化剤)として、例えば水素と酸素とからなる分子で構成されるガスとを用いる。また上記SiHFガスと上記酸化剤とともに、ポリシランガスを用いることで、フッ素の含有量を制御する。そして化学的気相成長法は、熱分解反応による化学的気相成長装置またはリモートプラズマCVD装置によって行う。
請求項（抜粋）：
化学的気相成長法によって、基体表面にフッ素を含む酸化ケイ素膜を成膜する低誘電体膜の形成方法において、化学的気相成長における原料ガスには、少なくとも、ケイ素と水素とフッ素とからなる分子で構成されるガスと酸素を含むガスからなる酸化剤とを用いることを特徴とする低誘電体膜の形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/768 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316
引用特許：
出願人引用 (8件)
  • 薄膜形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-182151   出願人：株式会社東芝
  • 特開昭60-250635
  • 特開昭63-052419
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審査官引用 (8件)
  • 薄膜形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-182151   出願人：株式会社東芝
  • 特開昭60-250635
  • 特開昭63-052419
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