特許

J-GLOBAL ID：200903064014802871

半導体レ-ザ

発明者： フェデリコ カパッソ ,  アルフレッド イー チョー ,  クレアー エフ.グマッチュル ,  アルバート リー フットゥチンソン ,  デボラ リー シブコ ,  ジェローム フェイスト ,  カルロ サートリ
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-212626
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138420
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 表面プラズモン系導波路組込み長波長半導体レーザを提供する。【解決手段】 長波長(中赤外線〜遠赤外線)半導体レーザは、活性領域(AR)と少なくとも一つのクラッド領域(CR)とからなる。CRは、符号が反対の誘電率を有する2つの材料間にライトガイドインターフェース(IF)を有することを特徴とする。ガイドモードは、常用の誘電体クラッド層を必要とすることなく、IFに沿って伝搬する、横方向磁気分極表面波(即ち、表面プラズモン)である。IFは半導体層と金属層との間に形成される。半導体層は、ARの一部であるか、又はARから独立している。金属層の複素屈折率は、その実数部分よりも遙かに大きな虚数部分を有する。本発明のレーザは、一対のCR間に間挿された量子井戸ARを有する。一方のCRは、表面プラズモンに基づくIFであり、他方は、誘電体(半導体)構造物である。

請求項（抜粋）：

(a)ポンピングエネルギーの印加に応答して、中赤外線〜遠赤外線範囲内の中心波長の輻射線を誘導放射することができる活性領域と、(b)前記輻射線を前記活性領域に閉込めるための少なくとも一つのクラッド領域とからなる半導体レーザにおいて、前記少なくとも一つのクラッド領域は、第1の層と第2の層からなり、該第1の層と第2の層の間にはガイドインターフェースが形成され、前記インターフェースは、表面プラズモンをサポートするために前記輻射線と相互作用する、ことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/343 ,  H01S 5/042

FI (2件)：

H01S 3/18 677 ,  H01S 3/18 624

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 単極性半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-078049   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• 光変調器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-078254   出願人：フィジィカルオプティクスコーポレーション
• 半導体導波路構造を含む製品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-123852   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・アイピーエム・コーポレーション
• 表面発光型レーザーダイオード
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平6-512758   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト