特許

J-GLOBAL ID：200903064019914430

化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びスルホニウム塩

発明者： 山田 愛理 ,  上谷 保則 ,  釜淵 明
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (3件)： 久保山 隆 ,  中山 亨 ,  榎本 雅之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-354759
公開番号（公開出願番号）：特開2004-162040
出願日： 2003年10月15日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】ArFやKrFなどのエキシマレーザーリソグラフィに適した化学増幅型のポジ型レジスト組成物であって、感度や解像度などの各種のレジスト性能が良好であるとともに、特に改善されたラインエッジラフネスと微細パターンまで倒れないポジ型レジスト組成物及び該組成物に用いる新規なスルホニウム塩を提供する。【解決手段】〔1〕式(Ia)で示されるスルホニウム塩。〔2〕(A)前記〔1〕に記載のスルホニウム塩などを含む少なくとも1種の酸発生剤と、(B)酸に不安定な基を持つ重合単位を有し、それ自身はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリに可溶となる樹脂とを含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

式(Ia)で示されるスルホニウム塩。

IPC (5件)：

C08F20/38 ,  C07C381/12 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

FI (5件)：

C08F20/38 ,  C07C381/12 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (32件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BG00 ,  2H025CC20 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4H006AA01 ,  4H006AA03 ,  4H006AB92 ,  4J100AB07Q ,  4J100AK32R ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AR11R ,  4J100BA15P ,  4J100BA15Q ,  4J100BA56P ,  4J100BA58P ,  4J100BB18P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC43P ,  4J100BC53Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100JA37

引用特許：

出願人引用 (1件)

• レジスト材料及びレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-050264   出願人：富士通株式会社

審査官引用 (1件)

• オキシカルボニルメチル基を有する新規なスルホニウム塩化合物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-029846   出願人：株式会社三和ケミカル