特許
J-GLOBAL ID：200903069806239335
半導体発光素子の製法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-187341
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051235
出願日： 1994年08月09日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 格子定数の不整合および熱膨張係数の差に基づく結晶欠陥や転位の発生を抑制するとともに、製造工程を短縮することができる半導体発光素子の製法を提供する。【構成】 (a)基板1上に少なくともn型層4とp型層6を有し、発光層5を形成するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、(b)前記n型層およびp型層に電気的に接続されるn側電極9およびp側電極8を形成し、(c)該両電極の形成後に全体を400°C以上で熱処理をすることによりp型層のアニールおよび電極と半導体層との合金化を同時に行うことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
(a)基板上に少なくともn型層とp型層を含み、発光層を有するチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層し、(b)前記n型層およびp型層に電気的に接続されるn側電極およびp側電極を形成し、(c)該両電極の形成後に熱処理をすることによりp型層のアニールおよび電極と半導体層との合金化を同時に行うことを特徴とする半導体発光素子の製法。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/324
, H01S 3/18
