特許

J-GLOBAL ID：200903064059620162

単結晶性薄膜の製造方法

発明者： 母倉 修司 ,  藤野 剛三 ,  大松 一也 ,  岩田 良浩 ,  本庄 昇一 ,  佐藤 礼文 ,  石井 英雄
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社 ,  東京電力株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-203351
公開番号（公開出願番号）：特開2001-031492
出願日： 1999年07月16日
公開日（公表日）： 2001年02月06日
要約：

【要約】【課題】 結晶配向性に優れた単結晶性薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】 単結晶性薄膜の製造方法は、基材1の主表面1aに対してターゲット2の主表面2aが鋭角をなすように、基材1から離隔した位置にターゲット2を位置決めする工程と、ターゲット2にエネルギ密度が0.8J/cm2以上10J/cm2以下で周波数が50Hz以上280Hz以下のレーザ3を照射することによりターゲット2を構成する物質を飛散させてターゲット2を構成する物質を基材1の主表面1a上に堆積させて単結晶性薄膜を形成する工程とを備える。

請求項（抜粋）：

基材の主表面に対してターゲットの主表面が鋭角をなすように、前記基材から離隔した位置に前記ターゲットを位置決めする工程と、前記ターゲットにエネルギ密度が0.8J/cm2以上10J/cm2以下で周波数が50Hz以上280Hz以下のレーザを照射することにより前記ターゲットを構成する物質を飛散させて前記ターゲットを構成する物質を前記基材の主表面の上に堆積させて単結晶性薄膜を形成する工程とを備えた、単結晶性薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 23/08 ZAA ,  C30B 29/16 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 561 ,  H01B 13/00 565

FI (6件)：

C30B 23/08 ZAA Z ,  C30B 29/16 ,  C30B 29/22 501 K ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 561 Z ,  H01B 13/00 565 D

Fターム (15件)：

4G077AB10 ,  4G077BB02 ,  4G077BB10 ,  4G077BC53 ,  4G077DA03 ,  4G077EG14 ,  5G321AA01 ,  5G321AA04 ,  5G321CA04 ,  5G321CA18 ,  5G321CA21 ,  5G321CA24 ,  5G321CA27 ,  5G321CA28 ,  5G321DB37

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 単結晶性薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-111488   出願人：住友電気工業株式会社, 東京電力株式会社
• 酸化物超電導薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-117203   出願人：住友電気工業株式会社, 東京電力株式会社