特許

J-GLOBAL ID：200903064067820413

AlN熱放出層及びTiN下部電極が適用された相変化メモリ

発明者： キム・ソンイル ,  キム・ヨンテ ,  キム・ヨンファン ,  キム・チュングン ,  ヨム・ミンス
出願人/特許権者： コリア インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー
代理人 (3件)： 津国 肇 ,  篠田 文雄 ,  束田 幸四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-363771
公開番号（公開出願番号）：特開2006-173635
出願日： 2005年12月16日
公開日（公表日）： 2006年06月29日
要約：

【課題】相変化物質と電極間に発生した熱が素子の内部に移動せずに迅速に外部に放出されるため、低電流高速動作が可能になり、信頼性が向上する相変化メモリを提供する。【解決手段】基板、下部電極、相変化物質、上部電極及び熱放出層から構成される相変化メモリにおいて、前記熱放出層として、熱伝導率の高いAlN熱放出層を含み、前記下部電極として、少ない電流で多量の熱を発生し、かつ熱伝導率の低いTiN下部電極を含むを含むことを特徴とする。【選択図】 図1D

請求項（抜粋）：

基板、下部電極、相変化物質、上部電極及び熱放出層から構成される相変化メモリにおいて、 前記熱放出層として、熱伝導率の高いAlN熱放出層を含み、前記下部電極として、少ない電流で多量の熱を発生し、かつ熱伝導率の低いTiN下部電極を含むことを特徴とする相変化メモリ。

IPC (1件)：

H01L 27/105

FI (1件)：

H01L27/10 448

Fターム (4件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 小さな接点を有する相変化記憶素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-232327   出願人：三星電子株式会社
• 相変換記憶素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-366415   出願人：三星電子株式会社
• 特開平4-045585