特許
J-GLOBAL ID：200903064087327705

プラズマCVD方法

発明者：
門村 新吾

門村 新吾 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-208249
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055376
出願日： 1995年08月15日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：
【要約】【課題】 ギャップフィル能力が高くグローバル平坦化に適した絶縁膜を形成しうるプラズマCVD方法を提供する。【解決手段】 高密度パルスプラズマ発生源を採用し、低周波の基板バイアスを印加しつつ.絶縁膜35のプラズマCVDを施す。【効果】 被処理基板上には正イオンと負イオンが交互に入射し、堆積とエッチングを交互に繰り返しながら成膜するので、ステップカバレッジと成膜レートに優れた絶縁膜35が形成できる。
請求項（抜粋）：
プラズマ発生室と、被処理基板を載置した基板ステージを収容するとともに前記プラズマ発生室に連接されたプラズマ処理室を有するプラズマCVD装置により、前記被処理基板上に絶縁膜を形成するプラズマCVD方法であって、前記プラズマ発生室に1×1011/cm3 以上1×1014/cm3 未満の高密度プラズマをパルス状に発生させ、かつ基板ステージに低周波数の基板バイアスを印加しつつ、前記被処理基板上に絶縁膜を形成することを特徴とする、プラズマCVD方法。
IPC (4件)：
H01L 21/31 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 21/31 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 P
引用特許：
審査官引用 (6件)
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