半導体装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-284813
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103529
出願日： 2006年10月19日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】外部電荷の影響を軽減した半導体装置を提供すること。【解決手段】半導体装置10は、MOSFETが作り込まれている中心領域10Aとその中心領域10Aの周囲に形成されている終端領域10Bを備えている。終端領域10Bは、n-型のドリフト領域26と、ドリフト領域26の表面に臨む位置に形成されているとともに不純物濃度が中心領域10A側から遠ざかるにつれて減少しているp型のリサーフ層42と、リサーフ層42の表面に臨む位置においてリサーフ層42に囲まれて形成されているp+型の表面局所領域44と、半導体基板21の表面上の一部に形成されているフィールドプレート電極57fを備えている。表面局所領域44は、平面視したときに、少なくともフィールドプレート電極57fが存在しない範囲に存在している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

回路素子が作り込まれている中心領域とその中心領域の周囲に形成されている終端領域を備えている半導体装置であって、その終端領域が下記の構成、すなわち; 中心領域から終端領域に亘って連続して形成されており、第1導電型の不純物を含む半導体領域と、その半導体領域の表面に臨む位置に形成されており、第2導電型の不純物を含むとともに、その不純物濃度が中心領域側から遠ざかるにつれて減少しているリサーフ層と、そのリサーフ層の表面に臨む位置においてリサーフ層に囲まれて形成されており、第2導電型の不純物を含むとともに、その不純物濃度がリサーフ層の不純物濃度よりも高い表面局所領域と、前記半導体領域とリサーフ層と表面局所領域が形成されている半導体基板の表面上において、中心領域から終端領域のうちの中心領域寄りの部分にまで延設しているフィールドプレート電極を備えており、前記表面局所領域は、平面視したときに、少なくともフィールドプレート電極が存在しない範囲に存在していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 , H01L 29/06 , H01L 21/336 , H01L 21/76

FI (7件)：

H01L29/78 652N , H01L29/78 652P , H01L29/78 653A , H01L29/78 658A , H01L29/78 652R , H01L29/06 301F , H01L29/06 301D

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開平3-94469号公報
プレーナ型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-319950 出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (5件)

高耐圧電力用半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-050745 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-115582 出願人：株式会社日立製作所
高耐圧半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-049076 出願人：株式会社東芝

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