特許
J-GLOBAL ID：200903064114003348

半導体記憶装置およびそのデータ書き込み制御方法

発明者：
森本 英徳

森本 英徳 について

, 
井上 剛至

井上 剛至 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (3件)： 山本 秀策 ,  安村 高明 ,  大塩 竹志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-351832
公開番号（公開出願番号）：特開2004-185723
出願日： 2002年12月03日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】メモリセル毎にデータ消去が可能であり、データ書き込みが高速(短時間)および高精度で実行できる。【解決手段】入力アドレス情報に対応した不揮発性半導体メモリセル20は、一対の電極間に印加される電圧値によって、電極間の抵抗値が可逆的に変化し、電圧印加後も抵抗値を保持するペロブスカイト型結晶構造を有する材料から成る可変抵抗素子14と、その可変抵抗素子14と駆動領域であるドレイン領域13とが接続されたMOSトランジスタとを有する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
入力アドレス情報に対応したメモリセルを選択してデータ消去動作を含むメモリ動作を行う半導体記憶装置において、 該メモリセルは、一対の電極間に印加される電圧値によって、該電極間の抵抗値が可逆的に変化し、電圧印加後も抵抗値を保持する可変抵抗素子と、該可変抵抗素子に接続されたMOSトランジスタとを有する半導体記憶装置。
IPC (1件)：
G11C13/00
FI (1件)：
G11C13/00 A
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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